CS460FA9H - аналоги и даташиты транзистора

 

CS460FA9H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CS460FA9H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CS460FA9H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS460FA9H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  wuxi china
 cs460fa9h.pdf pdf_icon

CS460FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS460F A9H General Description VDSS 500 V CS460F A9H, the silicon N-channel Enhanced ID 20 A PD (TC=25) 85 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.25 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 9.1. Size:1412K  blue-rocket-elect
 brcs4606hsc.pdf pdf_icon

CS460FA9H

BRCS4606HSC Rev.B Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 MOS Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=6.9A ID=-6.0A RDS(ON)

 9.2. Size:2249K  blue-rocket-elect
 brcs4606sc.pdf pdf_icon

CS460FA9H

BRCS4606SC Rev.E Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 MOS Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channelVDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=6.9A ID=-6A RDS(ON)

Другие MOSFET... CS24N50ANHD , CS25N06B3 , CS25N06B4 , CS25N06B8 , CS4N65FA9HD , CS4N65A3HD1-G , SI2369DS-T1 , SI2399CDS-T1 , IRFP260 , SI3407DV-T1 , SI3456DDV-T1 , SI3460DV-T1 , SI3477DV-T1-GE3 , SI3585DV-T1 , CS2N70A3R1-G , SDM9433 , SDM9435A .

History: BUK445-400B | STF12NK80Z | CS8N60A8D

 

 
Back to Top

 


 
.