CS2N80A3HY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS2N80A3HY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS2N80A3HY

CS2N80A3HY Datasheet (PDF)

8.1. Size:664K crhj
cs2n80 a3hy.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N80 A3HY General Description VDSS 800 V CS2N80 A3HY, the silicon N-channel Enhanced ID 2.0 A PD (TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 4.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

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Liste

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