Справочник MOSFET. CS2N80A3HY

 

CS2N80A3HY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS2N80A3HY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для CS2N80A3HY

 

 

CS2N80A3HY Datasheet (PDF)

 8.1. Size:664K  crhj
cs2n80 a3hy.pdf

CS2N80A3HY
CS2N80A3HY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N80 A3HY General Description VDSS 800 V CS2N80 A3HY, the silicon N-channel Enhanced ID 2.0 A PD (TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 4.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top