CS2N80A3HY - описание и поиск аналогов

 

CS2N80A3HY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS2N80A3HY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CS2N80A3HY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N80A3HY даташит

 8.1. Size:664K  crhj
 cs2n80 a3hy.pdf pdf_icon

CS2N80A3HY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N80 A3HY General Description VDSS 800 V CS2N80 A3HY, the silicon N-channel Enhanced ID 2.0 A PD (TC=25 ) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 4.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

Другие MOSFET... SI3456DDV-T1 , SI3460DV-T1 , SI3477DV-T1-GE3 , SI3585DV-T1 , CS2N70A3R1-G , SDM9433 , SDM9435A , SDM9926 , IRFB3607 , NP32N055I , CS45N06A4 , SUD25N06-45L , CS3410B4 , CS3410BR , RSS065N06 , RSS090P03 , CS3N40A23 .

History: BFW11 | SM4331PSK | 2SK2223-01 | SM4050PSV | HBS170 | SI2308DS-T1-GE3 | DMN63D8LW

 

 

 

 

↑ Back to Top
.