Справочник MOSFET. CS2N80A3HY

 

CS2N80A3HY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS2N80A3HY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CS2N80A3HY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N80A3HY Datasheet (PDF)

 8.1. Size:664K  crhj
 cs2n80 a3hy.pdf pdf_icon

CS2N80A3HY

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N80 A3HY General Description VDSS 800 V CS2N80 A3HY, the silicon N-channel Enhanced ID 2.0 A PD (TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 4.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

Другие MOSFET... SI3456DDV-T1 , SI3460DV-T1 , SI3477DV-T1-GE3 , SI3585DV-T1 , CS2N70A3R1-G , SDM9433 , SDM9435A , SDM9926 , AON7506 , NP32N055I , CS45N06A4 , SUD25N06-45L , CS3410B4 , CS3410BR , RSS065N06 , RSS090P03 , CS3N40A23 .

History: NTMS5P02R2SG | SI4831DY | AM10N30-600I

 

 
Back to Top

 


 
.