CS45N06A4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS45N06A4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43.45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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CS45N06A4 Datasheet (PDF)

..1. Size:751K wuxi china
cs45n06a4.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS45N06 A4 anGeneral Description VDSS 60 V CS45N06 A4 the silicon N-channel Enhanced ID 45 A VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench RDS(ON)Typ 12 m technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM appli

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