CS45N06A4 Todos los transistores

 

CS45N06A4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS45N06A4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO252

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CS45N06A4 datasheet

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CS45N06A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS45N06 A4 anGeneral Description VDSS 60 V CS45N06 A4 the silicon N-channel Enhanced ID 45 A VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench RDS(ON)Typ 12 m technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM appli

Otros transistores... SI3477DV-T1-GE3 , SI3585DV-T1 , CS2N70A3R1-G , SDM9433 , SDM9435A , SDM9926 , CS2N80A3HY , NP32N055I , IRF530 , SUD25N06-45L , CS3410B4 , CS3410BR , RSS065N06 , RSS090P03 , CS3N40A23 , CS3N40A3H , CS3N40A4H .

History: SM4802DSK | IRF623FI | FHF7N65B | STD4NK80Z | GPT09N50D | 2SK1685 | AO4458

 

 

 

 

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