CS45N06A4 - аналоги и даташиты транзистора

 

CS45N06A4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CS45N06A4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CS45N06A4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS45N06A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  wuxi china
 cs45n06a4.pdf pdf_icon

CS45N06A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS45N06 A4 anGeneral Description VDSS 60 V CS45N06 A4 the silicon N-channel Enhanced ID 45 A VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench RDS(ON)Typ 12 m technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM appli

Другие MOSFET... SI3477DV-T1-GE3 , SI3585DV-T1 , CS2N70A3R1-G , SDM9433 , SDM9435A , SDM9926 , CS2N80A3HY , NP32N055I , AO4407 , SUD25N06-45L , CS3410B4 , CS3410BR , RSS065N06 , RSS090P03 , CS3N40A23 , CS3N40A3H , CS3N40A4H .

History: ME04N25-G

 

 
Back to Top

 


 
.