VB3222 Todos los transistores

 

VB3222 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB3222
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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VB3222 Datasheet (PDF)

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VB3222

VB3222www.VBsemi.comDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET4.820 1.8 nC 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 2.5 V 3.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable Applicati

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History: LSD60R380HT | KHB3D0N90F1 | AP2311GN | KHB2D0N60P

 

 
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