VB3222 Todos los transistores

 

VB3222 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VB3222

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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VB3222 datasheet

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VB3222

VB3222 www.VBsemi.com Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 4.8 20 1.8 nC 100 % Rg Tested 0.028 at VGS = 2.5 V 3.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch for Portable Applicati

Otros transistores... RSS090P03 , CS3N40A23 , CS3N40A3H , CS3N40A4H , CS3N50B3 , ISL9N306AS3S , CS3N50B4 , VB2703K , 10N65 , VB4290 , VB5222 , CS3N90A3H1-G , RTR025N05T , RYU002N05T306 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 , NTD24N06LT4G .

History: VS6880AT | NCE60H10F | AP4961GM | 4N60KL-TF1-T

 

 

 

 

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