VB3222 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VB3222  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VB3222

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB3222 даташит

 ..1. Size:469K  cn vbsemi
 vb3222.pdf pdf_icon

VB3222

VB3222 www.VBsemi.com Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 4.8 20 1.8 nC 100 % Rg Tested 0.028 at VGS = 2.5 V 3.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch for Portable Applicati

Другие IGBT... RSS090P03, CS3N40A23, CS3N40A3H, CS3N40A4H, CS3N50B3, ISL9N306AS3S, CS3N50B4, VB2703K, IRF2807, VB4290, VB5222, CS3N90A3H1-G, RTR025N05T, RYU002N05T306, CS3N80ARH, NTD20N06T4, NTD24N06LT4G