Справочник MOSFET. VB3222

 

VB3222 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB3222
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для VB3222

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB3222 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:469K  cn vbsemi
 vb3222.pdf pdf_icon

VB3222

VB3222www.VBsemi.comDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET4.820 1.8 nC 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 2.5 V 3.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable Applicati

Другие MOSFET... RSS090P03 , CS3N40A23 , CS3N40A3H , CS3N40A4H , CS3N50B3 , ISL9N306AS3S , CS3N50B4 , VB2703K , STP80NF70 , VB4290 , VB5222 , CS3N90A3H1-G , RTR025N05T , RYU002N05T306 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 , NTD24N06LT4G .

History: FCP150N65F | 2SJ599 | STP24N60M2 | SML20B67F | KI5406DC | STP30NM60N | IRC644PBF

 

 
Back to Top

 


 
.