VB4290 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB4290
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de VB4290 MOSFET
VB4290 Datasheet (PDF)
vb4290.pdf

VB4290www.VBsemi.comDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.065 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.090 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable App
Otros transistores... CS3N40A23 , CS3N40A3H , CS3N40A4H , CS3N50B3 , ISL9N306AS3S , CS3N50B4 , VB2703K , VB3222 , 13N50 , VB5222 , CS3N90A3H1-G , RTR025N05T , RYU002N05T306 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 , NTD24N06LT4G , NTD25P03LG .
History: IRF621FI | STP310N10F7
History: IRF621FI | STP310N10F7



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor