Справочник MOSFET. VB4290

 

VB4290 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB4290
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для VB4290

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB4290 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  cn vbsemi
 vb4290.pdf pdf_icon

VB4290

VB4290www.VBsemi.comDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.065 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.090 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable App

Другие MOSFET... CS3N40A23 , CS3N40A3H , CS3N40A4H , CS3N50B3 , ISL9N306AS3S , CS3N50B4 , VB2703K , VB3222 , 13N50 , VB5222 , CS3N90A3H1-G , RTR025N05T , RYU002N05T306 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 , NTD24N06LT4G , NTD25P03LG .

 

 
Back to Top

 


 
.