VB4290 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VB4290  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VB4290

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB4290 даташит

 ..1. Size:454K  cn vbsemi
 vb4290.pdf pdf_icon

VB4290

VB4290 www.VBsemi.com Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.065 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET - 20 2.7 nC 0.090 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch for Portable App

Другие IGBT... CS3N40A23, CS3N40A3H, CS3N40A4H, CS3N50B3, ISL9N306AS3S, CS3N50B4, VB2703K, VB3222, TK10A60D, VB5222, CS3N90A3H1-G, RTR025N05T, RYU002N05T306, CS3N80ARH, NTD20N06T4, NTD24N06LT4G, NTD25P03LG