SI9435BDY-T1-E3 Todos los transistores

 

SI9435BDY-T1-E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI9435BDY-T1-E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SO8

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SI9435BDY-T1-E3 datasheet

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SI9435BDY-T1-E3

SI9435BDY-T1-E3 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET 0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4 S SO-8 G SD 1 8 S D 2 7 3 6 SD G D 4 5

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SI9435BDY-T1-E3

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SI9435BDY-T1-E3

SMD Type IC SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI9435BDY (KI9435BDY) SOP-8 Features VDSS = -30V ID = -5.7A (VGS = -10V) RDS(ON) = 42 m @ VGS = -10 V 1.50 0.15 RDS(ON) = 70 m @ VGS = -4.5 V S S D 1 8 G S D 2 7 S D 3 6 G D 4 5 D P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltag

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History: 2SK3496-01MR | AP4511GED-HF | SM4804DSK | SM7340EHKP | JCS4N60CB | ELM32430LA

 

 

 

 

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