SI9435BDY-T1-E3 Todos los transistores

 

SI9435BDY-T1-E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI9435BDY-T1-E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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SI9435BDY-T1-E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:806K  cn vbsemi
 si9435bdy-t1-e3.pdf pdf_icon

SI9435BDY-T1-E3

SI9435BDY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5

 5.1. Size:241K  vishay
 si9435bdy.pdf pdf_icon

SI9435BDY-T1-E3

 5.2. Size:1669K  kexin
 si9435bdy.pdf pdf_icon

SI9435BDY-T1-E3

SMD Type ICSMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI9435BDY (KI9435BDY)SOP-8 Features VDSS = -30V ID = -5.7A (VGS = -10V) RDS(ON) = 42 m @ VGS = -10 V1.50 0.15 RDS(ON) = 70 m @ VGS = -4.5 VSS D1 8GS D2 7S D3 6G D4 5DP-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltag

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History: NCEP050N85 | NCE30P20Q | HSL0107 | FCB20N60F085 | VN1210N1 | RU75N08 | HITK0204MP

 

 
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