Справочник MOSFET. SI9435BDY-T1-E3

 

SI9435BDY-T1-E3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI9435BDY-T1-E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для SI9435BDY-T1-E3

 

 

SI9435BDY-T1-E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:806K  cn vbsemi
 si9435bdy-t1-e3.pdf

SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3

SI9435BDY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5

 5.1. Size:241K  vishay
 si9435bdy.pdf

SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3

 5.2. Size:1669K  kexin
 si9435bdy.pdf

SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3

SMD Type ICSMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI9435BDY (KI9435BDY)SOP-8 Features VDSS = -30V ID = -5.7A (VGS = -10V) RDS(ON) = 42 m @ VGS = -10 V1.50 0.15 RDS(ON) = 70 m @ VGS = -4.5 VSS D1 8GS D2 7S D3 6G D4 5DP-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltag

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top