Справочник MOSFET. SI9435BDY-T1-E3

 

SI9435BDY-T1-E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9435BDY-T1-E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SI9435BDY-T1-E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9435BDY-T1-E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:806K  cn vbsemi
 si9435bdy-t1-e3.pdf pdf_icon

SI9435BDY-T1-E3

SI9435BDY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5

 5.1. Size:241K  vishay
 si9435bdy.pdf pdf_icon

SI9435BDY-T1-E3

 5.2. Size:1669K  kexin
 si9435bdy.pdf pdf_icon

SI9435BDY-T1-E3

SMD Type ICSMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI9435BDY (KI9435BDY)SOP-8 Features VDSS = -30V ID = -5.7A (VGS = -10V) RDS(ON) = 42 m @ VGS = -10 V1.50 0.15 RDS(ON) = 70 m @ VGS = -4.5 VSS D1 8GS D2 7S D3 6G D4 5DP-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE4688 , NCE3400A , NCE3404 , NCE40P05Y , CS16N65FA9H , SI9424DY-T1-E3 , SI9430DY-T1 , SI9433DY , AON7408 , SI9435DY-T1 , CS60N04C4 , NDT452AP-NL , CS16N06AE-G , CS12N06AE-G , RQK0301FG , RRQ030P03TR , RRR040P03TL .

 

 
Back to Top

 


 
.