SI2306DS-T1 Todos los transistores

 

SI2306DS-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI2306DS-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SI2306DS-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:884K  cn vbsemi
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SI2306DS-T1

SI2306DS-T1www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

 5.1. Size:1411K  kexin
si2306ds-3.pdf pdf_icon

SI2306DS-T1

SMD Type MOSFETICN-Channel 30-V (D-S) MOSFETSI2306DS (KI2306DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 VDS (V) = 30V RDS(ON) 57m (VGS =-10V) RDS(ON) 94 m (VGS =-4.5V)1 2+0.02+0.1D 0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 1. Gate2. SourceS 3. DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

 6.1. Size:64K  vishay
si2306ds.pdf pdf_icon

SI2306DS-T1

Si2306DSVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% Rg Tested0.057 @ VGS = 10 V 3.530300.094 @ VGS = 4.5 V 2.8-TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2306DS (A6)**Marking CodeOrdering Information: Si2306DS-T1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter

 6.2. Size:1404K  kexin
si2306ds.pdf pdf_icon

SI2306DS-T1

SMD TypeSMD Type ICSMD Type MOSFETN-Channel 30-V (D-S) MOSFETSI2306DS (KI2306DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1Features +0.10.4 -0.13 RDS(ON) 57m (VGS =-10V) RDS(ON) 94 m (VGS =-4.5V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1D 1.Base1. Gate2.Emitter2. SourceG 3. Drain3.collectorS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter

Otros transistores... CS16N06AE-G , CS12N06AE-G , RQK0301FG , RRQ030P03TR , RRR040P03TL , RFD16N05LSM9A , CS6N60A3D , CS6N60A3HDY , 8205A , SI2308DS-T1-GE3 , CS6N60A4H , NTMS4177PR , CS6N60A7H , CS6N60A8H , CS6N60FA9H , CS6N60FA9H-G , UT3N06G-AE3 .

History: P6503NJ | JFAM20N60C

 

 
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