SI2308DS-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI2308DS-T1-GE3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.09 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2308DS-T1-GE3

SI2308DS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

0.1. Size:861K cn vbsemi
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SI2308DS-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT2

5.1. Size:1328K kexin
si2308ds-3.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2308DS (KI2308DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 2 A (VGS = 10V)1 2+0.02 RDS(ON) 160m (VGS = 10V) +0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 220m (VGS = 4.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Paramete

6.1. Size:183K vishay
si2308ds.pdf

Si2308DSVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.16 at VGS = 10 V 2.0 TrenchFET Power MOSFET600.22 at VGS = 4.5 V 1.7 100 % Rg TestedTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2308DS (A8)** Marking CodeOrdering Information: Si2308DS-T1Si2308

6.2. Size:1329K kexin
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6.3. Size:1319K kexin
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SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2308DS (KI2308DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 2 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 160m (VGS = 10V)+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 220m (VGS = 4.5V)1.9+0.1-0.11. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symb

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History: SGB100N042 | IXTV250N075TS

Liste

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