Справочник MOSFET. SI2308DS-T1-GE3

 

SI2308DS-T1-GE3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI2308DS-T1-GE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.09 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SI2308DS-T1-GE3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2308DS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:861K  cn vbsemi
 si2308ds-t1-ge3.pdf pdf_icon

SI2308DS-T1-GE3

SI2308DS-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT2

 5.1. Size:1328K  kexin
 si2308ds-3.pdf pdf_icon

SI2308DS-T1-GE3

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2308DS (KI2308DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 2 A (VGS = 10V)1 2+0.02 RDS(ON) 160m (VGS = 10V) +0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 220m (VGS = 4.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Paramete

 6.1. Size:183K  vishay
 si2308ds.pdf pdf_icon

SI2308DS-T1-GE3

Si2308DSVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.16 at VGS = 10 V 2.0 TrenchFET Power MOSFET600.22 at VGS = 4.5 V 1.7 100 % Rg TestedTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2308DS (A8)** Marking CodeOrdering Information: Si2308DS-T1Si2308

 6.2. Size:1329K  kexin
 si2308ds ki2308ds.pdf pdf_icon

SI2308DS-T1-GE3

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2308DS (KI2308DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 2 A (VGS = 10V)1 2+0.02 RDS(ON) 160m (VGS = 10V) +0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 220m (VGS = 4.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Paramete

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS12N06AE-G , RQK0301FG , RRQ030P03TR , RRR040P03TL , RFD16N05LSM9A , CS6N60A3D , CS6N60A3HDY , SI2306DS-T1 , 2SK3568 , CS6N60A4H , NTMS4177PR , CS6N60A7H , CS6N60A8H , CS6N60FA9H , CS6N60FA9H-G , UT3N06G-AE3 , CS6N70A3D1-G .

History: SMK0460IS | NCEP01T13AD | HSP3018B | STT3463P | AM1321P | APT50M50L2LL | HRLF125N06K

 

 
Back to Top

 


 
.