SI9945AEY-T1-E3 Todos los transistores

 

SI9945AEY-T1-E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI9945AEY-T1-E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI9945AEY-T1-E3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI9945AEY-T1-E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:913K  cn vbsemi
 si9945aey-t1-e3.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

SI9945AEY-T1-E3www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-

 6.1. Size:240K  vishay
 si9945ae.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

 8.1. Size:265K  vishay
 si9945bd.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

 8.2. Size:268K  vishay
 si9945bdy.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI4922BDY , CS6N70A8D , CS6N70B3D1-G , CS6N70CRHD , SI4946BEY-T1 , CS6N70FA9H , SMC3407S , CS6N80A0H , 18N50 , SI9945BDY-T1 , SI9945DY , CS6N90A8H , NCE2305A , NCE3007S , MTD6P10ET4 , MMSF7P03HDR2G , CS730A8H .

History: RUH60100M | WMS12P03T1

 

 
Back to Top

 


 
.