Справочник MOSFET. SI9945AEY-T1-E3

 

SI9945AEY-T1-E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9945AEY-T1-E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SI9945AEY-T1-E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9945AEY-T1-E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:913K  cn vbsemi
 si9945aey-t1-e3.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

SI9945AEY-T1-E3www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-

 6.1. Size:240K  vishay
 si9945ae.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

 8.1. Size:265K  vishay
 si9945bd.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

 8.2. Size:268K  vishay
 si9945bdy.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4922BDY , CS6N70A8D , CS6N70B3D1-G , CS6N70CRHD , SI4946BEY-T1 , CS6N70FA9H , SMC3407S , CS6N80A0H , 18N50 , SI9945BDY-T1 , SI9945DY , CS6N90A8H , NCE2305A , NCE3007S , MTD6P10ET4 , MMSF7P03HDR2G , CS730A8H .

History: SSFT4003 | IPW60R070CFD7 | ISS17EP06LM | SMK1040F | SFG014N100BC3 | SSF1331P | 9N90

 

 
Back to Top

 


 
.