SI9945AEY-T1-E3 - описание и поиск аналогов

 

SI9945AEY-T1-E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI9945AEY-T1-E3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для SI9945AEY-T1-E3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9945AEY-T1-E3 даташит

 0.1. Size:913K  cn vbsemi
 si9945aey-t1-e3.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

SI9945AEY-T1-E3 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-

 6.1. Size:240K  vishay
 si9945ae.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

 8.1. Size:265K  vishay
 si9945bd.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

 8.2. Size:268K  vishay
 si9945bdy.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4922BDY , CS6N70A8D , CS6N70B3D1-G , CS6N70CRHD , SI4946BEY-T1 , CS6N70FA9H , SMC3407S , CS6N80A0H , BS170 , SI9945BDY-T1 , SI9945DY , CS6N90A8H , NCE2305A , NCE3007S , MTD6P10ET4 , MMSF7P03HDR2G , CS730A8H .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.