Справочник MOSFET. SI9945AEY-T1-E3

 

SI9945AEY-T1-E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9945AEY-T1-E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9945AEY-T1-E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:913K  cn vbsemi
 si9945aey-t1-e3.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

SI9945AEY-T1-E3www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-

 6.1. Size:240K  vishay
 si9945ae.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

 8.1. Size:265K  vishay
 si9945bd.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

 8.2. Size:268K  vishay
 si9945bdy.pdf pdf_icon

SI9945AEY-T1-E3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SRT10N160LD | FCPF380N60_F152 | STP5NB40 | SRT06N095LMG | IRFR5410PBF | STB40NF20 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.