MTD6P10ET4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTD6P10ET4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.279 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTD6P10ET4

MTD6P10ET4 Datasheet (PDF)

..1. Size:865K cn vbsemi
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6.1. Size:261K motorola
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6.2. Size:206K onsemi
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MTD6P10EPreferred DevicePower MOSFET6 Amps, 100 VoltsP-Channel DPAKThis Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. The energy efficient design alsohttp://onsemi.comoffers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed forlow voltage, high speed switching applications in power supplies,converters and PWM motor control

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