MTD6P10ET4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTD6P10ET4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.279 Ohm
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MTD6P10ET4 datasheet
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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD6P10E/D Designer's Data Sheet MTD6P10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount TMOS POWER FET P Channel Enhancement Mode Silicon Gate 6.0 AMPERES 100 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.66 OHM energy in the avalanche a
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MTD6P10E Preferred Device Power MOSFET 6 Amps, 100 Volts P-Channel DPAK This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also http //onsemi.com offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor control
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History: WSF3036
History: WSF3036
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