MTD6P10ET4 - описание и поиск аналогов

 

MTD6P10ET4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTD6P10ET4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.279 Ohm

Тип корпуса: TO251 TO252

Аналог (замена) для MTD6P10ET4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD6P10ET4 даташит

 ..1. Size:865K  cn vbsemi
 mtd6p10et4.pdf pdf_icon

MTD6P10ET4

 6.1. Size:261K  motorola
 mtd6p10e.pdf pdf_icon

MTD6P10ET4

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD6P10E/D Designer's Data Sheet MTD6P10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount TMOS POWER FET P Channel Enhancement Mode Silicon Gate 6.0 AMPERES 100 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.66 OHM energy in the avalanche a

 6.2. Size:206K  onsemi
 mtd6p10e.pdf pdf_icon

MTD6P10ET4

MTD6P10E Preferred Device Power MOSFET 6 Amps, 100 Volts P-Channel DPAK This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also http //onsemi.com offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor control

Другие MOSFET... SMC3407S , CS6N80A0H , SI9945AEY-T1-E3 , SI9945BDY-T1 , SI9945DY , CS6N90A8H , NCE2305A , NCE3007S , 5N60 , MMSF7P03HDR2G , CS730A8H , SPN3400S23RG , CS730FA9H , CS730FA9RD , CS740A0H , CS120N08A8 , SSC8033GS6 .

History: WMK07N80M3 | WMK120N04TS | VS3640DS | VS3P07C | 18N20 | VN0335ND | 2SJ451

 

 

 

 

↑ Back to Top
.