IRF640FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF640FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOWATT220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF640FI
IRF640FI Datasheet (PDF)
irf640 irf640fp.pdf
IRF640IRF640FPN-channel 200V - 0.15 - 18A TO-220/TO-220FPMesh overlay Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDIRF640 200V
irf640f fp.pdf
IRF640IRF640FP N - CHANNEL 200V - 0.150 - 18A TO-220/TO-220FPMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDIRF640 200 V
irf640fp.pdf
IRF640IRF640FPN-channel 200V - 0.15 - 18A TO-220/TO-220FPMesh overlay Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDIRF640 200V
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Liste
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