Справочник MOSFET. IRF640FI

 

IRF640FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF640FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для IRF640FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF640FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  1
 irf640 irf640fi.pdf pdf_icon

IRF640FI

 7.1. Size:332K  st
 irf640 irf640fp.pdf pdf_icon

IRF640FI

IRF640IRF640FPN-channel 200V - 0.15 - 18A TO-220/TO-220FPMesh overlay Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDIRF640 200V

 7.2. Size:107K  st
 irf640f fp.pdf pdf_icon

IRF640FI

IRF640IRF640FP N - CHANNEL 200V - 0.150 - 18A TO-220/TO-220FPMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDIRF640 200 V

 7.3. Size:330K  st
 irf640fp.pdf pdf_icon

IRF640FI

IRF640IRF640FPN-channel 200V - 0.15 - 18A TO-220/TO-220FPMesh overlay Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDIRF640 200V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF633 , IRF634 , IRF634A , IRF634S , IRF635 , IRF636A , IRF640 , IRF640A , 7N60 , IRF640L , IRF640S , IRF641 , IRF642 , IRF643 , IRF644 , IRF644A , IRF644S .

History: PJT7408 | IRF3007

 

 
Back to Top

 


 
.