IRF640FI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF640FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT220
Аналог (замена) для IRF640FI
IRF640FI Datasheet (PDF)
irf640 irf640fp.pdf
IRF640IRF640FPN-channel 200V - 0.15 - 18A TO-220/TO-220FPMesh overlay Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDIRF640 200V
irf640f fp.pdf
IRF640IRF640FP N - CHANNEL 200V - 0.150 - 18A TO-220/TO-220FPMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDIRF640 200 V
irf640fp.pdf
IRF640IRF640FPN-channel 200V - 0.15 - 18A TO-220/TO-220FPMesh overlay Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDIRF640 200V
Другие MOSFET... IRF633 , IRF634 , IRF634A , IRF634S , IRF635 , IRF636A , IRF640 , IRF640A , 4N60 , IRF640L , IRF640S , IRF641 , IRF642 , IRF643 , IRF644 , IRF644A , IRF644S .
History: WFF730 | FDS5682 | IXTQ60N20T | IXTQ75N10P | FQPF5N50CTTU | RQ1A070ZPTR | CS740FA9H
History: WFF730 | FDS5682 | IXTQ60N20T | IXTQ75N10P | FQPF5N50CTTU | RQ1A070ZPTR | CS740FA9H
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet