IRF640FI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF640FI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF640FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF640FI даташит

 ..1. Size:317K  1
 irf640 irf640fi.pdf pdf_icon

IRF640FI

 7.1. Size:332K  st
 irf640 irf640fp.pdf pdf_icon

IRF640FI

IRF640 IRF640FP N-channel 200V - 0.15 - 18A TO-220/TO-220FP Mesh overlay Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID IRF640 200V

 7.2. Size:107K  st
 irf640f fp.pdf pdf_icon

IRF640FI

IRF640 IRF640FP N - CHANNEL 200V - 0.150 - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID IRF640 200 V

 7.3. Size:330K  st
 irf640fp.pdf pdf_icon

IRF640FI

IRF640 IRF640FP N-channel 200V - 0.15 - 18A TO-220/TO-220FP Mesh overlay Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID IRF640 200V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF633, IRF634, IRF634A, IRF634S, IRF635, IRF636A, IRF640, IRF640A, AO3407, IRF640L, IRF640S, IRF641, IRF642, IRF643, IRF644, IRF644A, IRF644S