NTF5P03T3G Todos los transistores

 

NTF5P03T3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTF5P03T3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT223

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NTF5P03T3G datasheet

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NTF5P03T3G

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NTF5P03T3G

NTF5P03T3G www.VBsemi.tw P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET - 35 9.8 nC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATIONS Loa

 7.1. Size:103K  onsemi
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NTF5P03T3G

NTF5P03, NVF5P03 Power MOSFET -5.2 A, -30 V P-Channel SOT-223 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) -5.2 AMPERES, -30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery Life RDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G These Devices are Pb-Free

Otros transistores... CS730FA9RD , CS740A0H , CS120N08A8 , SSC8033GS6 , SSC8035GS6 , CS7N60A3R , CS7N60A4R , NCE0108AS , 75N75 , NTGS3443T1G , NTGS4111PT , CS7N60FA9R , SSM3K335 , CS7N65A3R , SQ2348ES-T1 , CS7N65A4R , STD2NB60T4 .

History: 2SK3355 | SIR422DP-T1-GE3 | 3N45 | 2SK897-M | CS16N06AE-G | STD13N50DM2AG

 

 

 

 

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