NTF5P03T3G - описание и поиск аналогов

 

NTF5P03T3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTF5P03T3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для NTF5P03T3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTF5P03T3G даташит

 ..1. Size:143K  onsemi
 ntf5p03t3g.pdf pdf_icon

NTF5P03T3G

 ..2. Size:849K  cn vbsemi
 ntf5p03t3g.pdf pdf_icon

NTF5P03T3G

NTF5P03T3G www.VBsemi.tw P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET - 35 9.8 nC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATIONS Loa

 7.1. Size:103K  onsemi
 ntf5p03 nvf5p03.pdf pdf_icon

NTF5P03T3G

NTF5P03, NVF5P03 Power MOSFET -5.2 A, -30 V P-Channel SOT-223 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) -5.2 AMPERES, -30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery Life RDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G These Devices are Pb-Free

Другие MOSFET... CS730FA9RD , CS740A0H , CS120N08A8 , SSC8033GS6 , SSC8035GS6 , CS7N60A3R , CS7N60A4R , NCE0108AS , 75N75 , NTGS3443T1G , NTGS4111PT , CS7N60FA9R , SSM3K335 , CS7N65A3R , SQ2348ES-T1 , CS7N65A4R , STD2NB60T4 .

History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513 | JCS10N70C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.