SQ2348ES-T1 Todos los transistores

 

SQ2348ES-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ2348ES-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de SQ2348ES-T1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQ2348ES-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1450K  cn vbsemi
 sq2348es-t1.pdf pdf_icon

SQ2348ES-T1

SQ2348ES-T1www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

 6.1. Size:256K  vishay
 sq2348es.pdf pdf_icon

SQ2348ES-T1

SQ2348ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = 10 V 0.024 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization:ID (A) 8for definitions of compliance please see Configuration Singleww

Otros transistores... CS7N60A4R , NCE0108AS , NTF5P03T3G , NTGS3443T1G , NTGS4111PT , CS7N60FA9R , SSM3K335 , CS7N65A3R , RU7088R , CS7N65A4R , STD2NB60T4 , CS7N65FA9R , SI4848DY-T1 , SI4848DY-T1-E3 , SI4850DY-T1 , CS7N80FA9 , ST2315S23R .

 

 
Back to Top

 


 
.