SQ2348ES-T1 Todos los transistores

 

SQ2348ES-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ2348ES-T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SQ2348ES-T1 datasheet

 ..1. Size:1450K  cn vbsemi
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SQ2348ES-T1

SQ2348ES-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23)

 6.1. Size:256K  vishay
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SQ2348ES-T1

SQ2348ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.024 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization ID (A) 8 for definitions of compliance please see Configuration Single ww

Otros transistores... CS7N60A4R , NCE0108AS , NTF5P03T3G , NTGS3443T1G , NTGS4111PT , CS7N60FA9R , SSM3K335 , CS7N65A3R , IRFZ48N , CS7N65A4R , STD2NB60T4 , CS7N65FA9R , SI4848DY-T1 , SI4848DY-T1-E3 , SI4850DY-T1 , CS7N80FA9 , ST2315S23R .

History: IRF832FI | IRF623FI | SIHFP460A | AO4458 | SSH60N10A | 2SK3789-01R | AO4926

 

 

 

 

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