SQ2348ES-T1 - описание и поиск аналогов

 

SQ2348ES-T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ2348ES-T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SQ2348ES-T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2348ES-T1 даташит

 ..1. Size:1450K  cn vbsemi
 sq2348es-t1.pdf pdf_icon

SQ2348ES-T1

SQ2348ES-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23)

 6.1. Size:256K  vishay
 sq2348es.pdf pdf_icon

SQ2348ES-T1

SQ2348ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.024 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization ID (A) 8 for definitions of compliance please see Configuration Single ww

Другие MOSFET... CS7N60A4R , NCE0108AS , NTF5P03T3G , NTGS3443T1G , NTGS4111PT , CS7N60FA9R , SSM3K335 , CS7N65A3R , IRFZ48N , CS7N65A4R , STD2NB60T4 , CS7N65FA9R , SI4848DY-T1 , SI4848DY-T1-E3 , SI4850DY-T1 , CS7N80FA9 , ST2315S23R .

History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513

 

 

 

 

↑ Back to Top
.