STD2NB60T4 Todos los transistores

 

STD2NB60T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD2NB60T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 177 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm

Encapsulados: TO252

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STD2NB60T4 datasheet

 ..1. Size:853K  cn vbsemi
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STD2NB60T4

STD2NB60T4 www.VBsemi.tw Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 48 Ruggedness Qgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 19 Compliant to RoHS

 6.1. Size:102K  st
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STD2NB60T4

STD2NB60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STD2NB60 600 V

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STD2NB60T4

STD2NB25 N - CHANNEL 250V - 1.7 - 2A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD2NB25 250 V

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STD2NB60T4

STD2NB50 STD2NB50-1 N-CHANNEL 500V - 5 - 1A DPAK / IPAK PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD2NB50 500V

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History: 3N70G-TM3-T | AP4525GEM-HF | BFW10 | UTM6016G | 2N7002ZDWG-AL6-R | WMM08N70C4 | IRFP151FI

 

 

 

 

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