STD2NB60T4 - описание и поиск аналогов

 

STD2NB60T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD2NB60T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для STD2NB60T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD2NB60T4 даташит

 ..1. Size:853K  cn vbsemi
 std2nb60t4.pdf pdf_icon

STD2NB60T4

STD2NB60T4 www.VBsemi.tw Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 48 Ruggedness Qgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 19 Compliant to RoHS

 6.1. Size:102K  st
 std2nb60.pdf pdf_icon

STD2NB60T4

STD2NB60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STD2NB60 600 V

 8.1. Size:274K  st
 std2nb25.pdf pdf_icon

STD2NB60T4

STD2NB25 N - CHANNEL 250V - 1.7 - 2A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD2NB25 250 V

 8.2. Size:451K  st
 std2nb50.pdf pdf_icon

STD2NB60T4

STD2NB50 STD2NB50-1 N-CHANNEL 500V - 5 - 1A DPAK / IPAK PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD2NB50 500V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTF5P03T3G , NTGS3443T1G , NTGS4111PT , CS7N60FA9R , SSM3K335 , CS7N65A3R , SQ2348ES-T1 , CS7N65A4R , IRF830 , CS7N65FA9R , SI4848DY-T1 , SI4848DY-T1-E3 , SI4850DY-T1 , CS7N80FA9 , ST2315S23R , ST2341S23R , STB60N06-14 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.