Справочник MOSFET. STD2NB60T4

 

STD2NB60T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD2NB60T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 48(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для STD2NB60T4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD2NB60T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:853K  cn vbsemi
 std2nb60t4.pdf pdf_icon

STD2NB60T4

STD2NB60T4www.VBsemi.twPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19 Compliant to RoHS

 6.1. Size:102K  st
 std2nb60.pdf pdf_icon

STD2NB60T4

STD2NB60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTD2NB60 600 V

 8.1. Size:274K  st
 std2nb25.pdf pdf_icon

STD2NB60T4

STD2NB25N - CHANNEL 250V - 1.7 - 2A - IPAK/DPAKPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NB25 250 V

 8.2. Size:451K  st
 std2nb50.pdf pdf_icon

STD2NB60T4

STD2NB50STD2NB50-1N-CHANNEL 500V - 5 - 1A DPAK / IPAKPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NB50 500V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.