CS8N70FA9H2-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS8N70FA9H2-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 22.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS8N70FA9H2-G

CS8N70FA9H2-G Datasheet (PDF)

7.1. Size:242K crhj
cs8n70f a9h2-g.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N70F A9H2-G General Description VDSS 700 V CS8N70F A9H2-G , the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD(TC=25) 48 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

7.2. Size:681K convert
cs8n70f.pdf

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS8N70F700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS8N70F TO-220F CS8N70FAbsolute Maxim

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: