Справочник MOSFET. CS8N70FA9H2-G

 

CS8N70FA9H2-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS8N70FA9H2-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для CS8N70FA9H2-G

 

 

CS8N70FA9H2-G Datasheet (PDF)

 7.1. Size:242K  crhj
 cs8n70f a9h2-g.pdf

CS8N70FA9H2-G CS8N70FA9H2-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N70F A9H2-G General Description VDSS 700 V CS8N70F A9H2-G , the silicon N-channel Enhanced ID 8 A PD(TC=25) 48 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 7.2. Size:681K  convert
 cs8n70f.pdf

CS8N70FA9H2-G CS8N70FA9H2-G

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS8N70F700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS8N70F TO-220F CS8N70FAbsolute Maxim

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top