VB1330 Todos los transistores

 

VB1330 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VB1330

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de VB1330 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VB1330 datasheet

 ..1. Size:463K  cn vbsemi
 vb1330.pdf pdf_icon

VB1330

VB1330 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G

 0.1. Size:572K  cn vbsemi
 vb1330x.pdf pdf_icon

VB1330

VB1330X www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.016 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 8.0 30 4 nC 100 % Rg Tested 0.023 at VGS = 4.5 V 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G 1

Otros transistores... CS8N60ARD , TP0610K-T1 , TPC8103 , TPC8104 , TK40P04M , CS8N70FA9H2-G , CS8N80A8D , CS8N80A8H , IRF640N , CS8N80FA9H , CS8N90A8 , CS8N90FA9 , VB162K , CS90N03B3 , UT9435G , UTM4052L , UTM6016G .

History: STD15NF10 | SM4504NHKP | AUIRF7103Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.