VB1330 - описание и поиск аналогов

 

VB1330. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VB1330

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для VB1330

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB1330 даташит

 ..1. Size:463K  cn vbsemi
 vb1330.pdf pdf_icon

VB1330

VB1330 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G

 0.1. Size:572K  cn vbsemi
 vb1330x.pdf pdf_icon

VB1330

VB1330X www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.016 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 8.0 30 4 nC 100 % Rg Tested 0.023 at VGS = 4.5 V 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G 1

Другие MOSFET... CS8N60ARD , TP0610K-T1 , TPC8103 , TPC8104 , TK40P04M , CS8N70FA9H2-G , CS8N80A8D , CS8N80A8H , IRF640N , CS8N80FA9H , CS8N90A8 , CS8N90FA9 , VB162K , CS90N03B3 , UT9435G , UTM4052L , UTM6016G .

History: SM6106PSK | P120NF10 | 2SK3705 | SMK0860P | AGM405F | FCP099N65S3 | 2SK1228

 

 

 

 

↑ Back to Top
.