Справочник MOSFET. VB1330

 

VB1330 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB1330
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VB1330

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB1330 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  cn vbsemi
 vb1330.pdf pdf_icon

VB1330

VB1330www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G

 0.1. Size:572K  cn vbsemi
 vb1330x.pdf pdf_icon

VB1330

VB1330Xwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.016 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET8.030 4 nC 100 % Rg Tested0.023 at VGS = 4.5 V 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1

Другие MOSFET... CS8N60ARD , TP0610K-T1 , TPC8103 , TPC8104 , TK40P04M , CS8N70FA9H2-G , CS8N80A8D , CS8N80A8H , IRF630 , CS8N80FA9H , CS8N90A8 , CS8N90FA9 , VB162K , CS90N03B3 , UT9435G , UTM4052L , UTM6016G .

History: CSD15380F3 | HMS8N70 | STF8NM50N | TPC6108 | STD12N65M5 | WMK030N06HG4 | AMA960N

 

 
Back to Top

 


 
.