CSZ44V-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSZ44V-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CSZ44V-1

CSZ44V-1 Datasheet (PDF)

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csz44v-1.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CSZ44V-1 General Description VDSS 60 V CSZ44V-1, the silicon N-channel Enhanced ID 55 A PD(TC=25) 150 W VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology RDS(ON)Typ 8 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circ

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Liste

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