CSZ44V-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSZ44V-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 55 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 27 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 280 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.01 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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CSZ44V-1 Datasheet (PDF)

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Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CSZ44V-1 General Description： VDSS 60 V CSZ44V-1, the silicon N-channel Enhanced ID 55 A PD(TC=25℃) 150 W VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology RDS(ON)Typ 8 mΩ which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circ

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Liste

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