Справочник MOSFET. CSZ44V-1

 

CSZ44V-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSZ44V-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для CSZ44V-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSZ44V-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  crhj
 csz44v-1.pdf pdf_icon

CSZ44V-1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CSZ44V-1 General Description VDSS 60 V CSZ44V-1, the silicon N-channel Enhanced ID 55 A PD(TC=25) 150 W VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology RDS(ON)Typ 8 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circ

Другие MOSFET... CS8N80FA9H , CS8N90A8 , CS8N90FA9 , VB162K , CS90N03B3 , UT9435G , UTM4052L , UTM6016G , IRFB4115 , AO4600 , AO4604 , AO4609 , AO4614A , AO4624 , SI4558DY , SI5504DC , SI5513CD .

History: APT1002RBNR | NCE15P30 | HCA60R040 | IRF6775MTRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.