CSZ44V-1 - описание и поиск аналогов

 

CSZ44V-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSZ44V-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для CSZ44V-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSZ44V-1 даташит

 ..1. Size:724K  crhj
 csz44v-1.pdf pdf_icon

CSZ44V-1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CSZ44V-1 General Description VDSS 60 V CSZ44V-1, the silicon N-channel Enhanced ID 55 A PD(TC=25 ) 150 W VDMOSFETs, is obtained by advanced trench Technology RDS(ON)Typ 8 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circ

Другие MOSFET... CS8N80FA9H , CS8N90A8 , CS8N90FA9 , VB162K , CS90N03B3 , UT9435G , UTM4052L , UTM6016G , P55NF06 , AO4600 , AO4604 , AO4609 , AO4614A , AO4624 , SI4558DY , SI5504DC , SI5513CD .

History: IRF9332TR | AOD408 | 2SK2223-01 | NTD20N06T4 | HY3003B | SM1A27PSU | IRLR2905Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.