SI5504DC Todos los transistores

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SI5504DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI5504DC

Código: EA**

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.9(2.1) A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.072(0.137) Ohm

Empaquetado / Estuche: CHIP8

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SI5504DC Datasheet (PDF)

1.1. si5504dc.pdf Size:120K _vishay

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Si5504DC Vishay Siliconix Complementary 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) (?)ID (A) Definition 0.085 at VGS = 10 V 3.9 TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 30 0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.165 at VGS = - 10 V 2.8 P-Channel - 30 0.290 at VGS = - 4.5 V 2.1 120

1.2. si5504dc.pdf Size:2116K _kexin

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SMD Type MOSFET Complementary power Trench MOSFET SI5504DC (KI5504DC) 1206-8 chipFET (Chip-8) ■ Features ● N-Channel:VDS=30V ID= 3.9A ● RDS(ON) < 85mΩ (VGS = 10V) ● RDS(ON) < 143mΩ (VGS = 4.5 V) ● P-Channel:VDS=-30V ID=- 2.8A ● RDS(ON) < 165mΩ (VGS =-10V) ● RDS(ON) < 290mΩ (VGS =-4.5V) D1 S2 G2 G1 S1 D2 N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ■ A

 4.1. si5504bdc.pdf Size:147K _vishay

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Si5504BDC Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) (Ω) ID (A) Qg (Typ) Definition 0.065 at VGS = 10 V 4a • TrenchFET® Power MOSFETs N-Channel 30 2 nC 0.100 at VGS = 4.5 V 4a • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.140 at VGS = - 10 V - 3.7 P-Channel - 30 2.2 nC APPLICA

Otros transistores... CS9N90F_A9D , CSZ44V-1 , AO4600 , AO4604 , AO4609 , AO4614A , AO4624 , SI4558DY , IRFP064N , SI5513CD , SIA517DJ , SI4953ADY , SI1903DL , SI4953DY , AO4824L , AO4900 , AO4906 .

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