SI5504DC. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI5504DC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9(2.1) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072(0.137) Ohm
Тип корпуса: CHIP8
Аналог (замена) для SI5504DC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI5504DC даташит
si5504dc.pdf
Si5504DC Vishay Siliconix Complementary 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.085 at VGS = 10 V 3.9 TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 30 0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.165 at VGS = - 10 V 2.8 P-Channel - 30 0.290 at VGS = - 4.5
si5504dc.pdf
SMD Type MOSFET Complementary power Trench MOSFET SI5504DC (KI5504DC) 1206-8 chipFET (Chip-8) Features N-Channel VDS=30V ID= 3.9A RDS(ON) 85m (VGS = 10V) RDS(ON) 143m (VGS = 4.5 V) P-Channel VDS=-30V ID=- 2.8A RDS(ON) 165m (VGS =-10V) RDS(ON) 290m (VGS =-4.5V) D1 S2 G2 G1 S1 D2 N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET A
si5504bdc.pdf
Si5504BDC www.vishay.com Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (TYP.) Material categorization 0.065 at VGS = 10 V 4 a For definitions of compliance please see N-Channel 30 2 nC 0.100 at VGS = 4.5 V 4 a www.vishay.com/doc?99912 0.140 at VGS = -10 V -3.7 P-Channel -30 2.2 nC A
si5504bdc si5904bd.pdf
Si5504BDC Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) Definition 0.065 at VGS = 10 V 4a TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 30 2 nC 0.100 at VGS = 4.5 V 4a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.140 at VGS = - 10 V - 3.7 P-Channel - 30 2.2 nC APPLICA
Другие MOSFET... UTM6016G , CSZ44V-1 , AO4600 , AO4604 , AO4609 , AO4614A , AO4624 , SI4558DY , 2SK3878 , SI5513CD , SIA517DJ , SI4953ADY , SI1903DL , SI4953DY , AO4824L , AO4900 , AO4906 .
History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513 | JCS10N70C
History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513 | JCS10N70C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor





