Справочник MOSFET. SI5504DC

 

SI5504DC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI5504DC
   Маркировка: EA**
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9(2.1) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.5 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072(0.137) Ohm
   Тип корпуса: CHIP8

 Аналог (замена) для SI5504DC

 

 

SI5504DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  vishay
 si5504dc.pdf

SI5504DC SI5504DC

Si5504DCVishay SiliconixComplementary 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.085 at VGS = 10 V 3.9 TrenchFET Power MOSFETsN-Channel 300.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.165 at VGS = - 10 V 2.8P-Channel - 300.290 at VGS = - 4.5

 ..2. Size:2116K  kexin
 si5504dc.pdf

SI5504DC SI5504DC

SMD Type MOSFETComplementary power Trench MOSFET SI5504DC (KI5504DC)1206-8 chipFET (Chip-8) Features N-ChannelVDS=30V ID= 3.9A RDS(ON) 85m (VGS = 10V) RDS(ON) 143m (VGS = 4.5 V) P-ChannelVDS=-30V ID=- 2.8A RDS(ON) 165m (VGS =-10V) RDS(ON) 290m (VGS =-4.5V)D1 S2G2G1S1 D2N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET A

 8.1. Size:291K  vishay
 si5504bdc.pdf

SI5504DC SI5504DC

Si5504BDCwww.vishay.comVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (TYP.) Material categorization:0.065 at VGS = 10 V 4 aFor definitions of compliance please seeN-Channel 30 2 nC0.100 at VGS = 4.5 V 4 a www.vishay.com/doc?99912 0.140 at VGS = -10 V -3.7P-Channel -30 2.2 nCA

 8.2. Size:147K  vishay
 si5504bdc si5904bd.pdf

SI5504DC SI5504DC

Si5504BDCVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ)Definition0.065 at VGS = 10 V 4a TrenchFET Power MOSFETsN-Channel 30 2 nC0.100 at VGS = 4.5 V 4a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.140 at VGS = - 10 V - 3.7P-Channel - 30 2.2 nC APPLICA

 9.1. Size:270K  vishay
 si5509dc.pdf

SI5504DC SI5504DC

Si5509DCVishay SiliconixN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.052 at VGS = 4.5 V 6.1a TrenchFET Power MOSFETsN-Channel 20 3.9 nC0.084 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC4.8a0.090 at VGS = - 4.5 V - 4.8aP-Channel - 20 3.8 nC

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top