SI5504DC - описание и поиск аналогов

 

SI5504DC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI5504DC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9(2.1) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072(0.137) Ohm

Тип корпуса: CHIP8

Аналог (замена) для SI5504DC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5504DC даташит

 ..1. Size:120K  vishay
si5504dc.pdfpdf_icon

SI5504DC

Si5504DC Vishay Siliconix Complementary 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.085 at VGS = 10 V 3.9 TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 30 0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.165 at VGS = - 10 V 2.8 P-Channel - 30 0.290 at VGS = - 4.5

 ..2. Size:2116K  kexin
si5504dc.pdfpdf_icon

SI5504DC

SMD Type MOSFET Complementary power Trench MOSFET SI5504DC (KI5504DC) 1206-8 chipFET (Chip-8) Features N-Channel VDS=30V ID= 3.9A RDS(ON) 85m (VGS = 10V) RDS(ON) 143m (VGS = 4.5 V) P-Channel VDS=-30V ID=- 2.8A RDS(ON) 165m (VGS =-10V) RDS(ON) 290m (VGS =-4.5V) D1 S2 G2 G1 S1 D2 N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET A

 8.1. Size:291K  vishay
si5504bdc.pdfpdf_icon

SI5504DC

Si5504BDC www.vishay.com Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (TYP.) Material categorization 0.065 at VGS = 10 V 4 a For definitions of compliance please see N-Channel 30 2 nC 0.100 at VGS = 4.5 V 4 a www.vishay.com/doc?99912 0.140 at VGS = -10 V -3.7 P-Channel -30 2.2 nC A

 8.2. Size:147K  vishay
si5504bdc si5904bd.pdfpdf_icon

SI5504DC

Si5504BDC Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) Definition 0.065 at VGS = 10 V 4a TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 30 2 nC 0.100 at VGS = 4.5 V 4a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.140 at VGS = - 10 V - 3.7 P-Channel - 30 2.2 nC APPLICA

Другие MOSFET... UTM6016G , CSZ44V-1 , AO4600 , AO4604 , AO4609 , AO4614A , AO4624 , SI4558DY , 2SK3878 , SI5513CD , SIA517DJ , SI4953ADY , SI1903DL , SI4953DY , AO4824L , AO4900 , AO4906 .

History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513 | JCS10N70C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.