KI8205T Todos los transistores

 

KI8205T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI8205T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT163
 

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KI8205T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  kexin
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KI8205T

SMD Type MOSFETSMD TypeDual N-Channel High Density Trench MOSFETKI8205T( )SOT-23-6 Unit: mm+0.10.4 -0.1FeaturesSuper high dense cell trench design for low RDS(on).Rugged and reliable.Surface Mount package.1+0.020.15 -0.02+0.01-0.012+0.2-0.1D1 D2S1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G2S2 3 4 G2S1 S2Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating

 8.1. Size:672K  kexin
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KI8205T

SMD Type MOSFETSMDTypeDual N-Channel Enhancement MOSFETKI8205ATSSOP-8Unit: mmFeatures6.45+0.1-0.16.5 A, 20 V. rDS(on) = 0.025 @ VGS = 4.5 V 4.45+0.1-0.1rDS(on) = 0.029 @ VGS = 2.5 V.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 20 VGate-Source Voltage VGS 10 VContinuous Drain Current ID 6.5 APulsed Drain Current IDM 20 A

Otros transistores... SI4953DY , AO4824L , AO4900 , AO4906 , AO4912 , AO4918 , AO6804 , KI8205A , TK10A60D , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , SI9926BDY , SI9926DY , 2SJ130S .

History: IPP80N06S4L-07 | SI5406DC | STL130N8F7 | IRLR3103PBF | WMO07N70C4 | VBZMB18N50 | WFP85N06

 

 
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