KI8205T Todos los transistores

 

KI8205T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI8205T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT163

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KI8205T datasheet

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KI8205T

SMD Type MOSFET SMD Type Dual N-Channel High Density Trench MOSFET KI8205T ( ) SOT-23-6 Unit mm +0.1 0.4 -0.1 Features Super high dense cell trench design for low RDS(on). Rugged and reliable. Surface Mount package. 1 +0.02 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 2 +0.2 -0.1 D1 D2 S1 1 6 G1 D1/D2 2 5 D1/D2 G1 G2 S2 3 4 G2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating

 8.1. Size:672K  kexin
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KI8205T

SMD Type MOSFET SMDType Dual N-Channel Enhancement MOSFET KI8205A TSSOP-8 Unit mm Features 6.45+0.1 -0.1 6.5 A, 20 V. rDS(on) = 0.025 @ VGS = 4.5 V 4.45+0.1 -0.1 rDS(on) = 0.029 @ VGS = 2.5 V. Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V Continuous Drain Current ID 6.5 A Pulsed Drain Current IDM 20 A

Otros transistores... SI4953DY , AO4824L , AO4900 , AO4906 , AO4912 , AO4918 , AO6804 , KI8205A , 13N50 , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , SI9926BDY , SI9926DY , 2SJ130S .

History: IXFN340N07 | IXFR32N50Q | IRFH8325 | AO4912 | BR75N08 | AO4624

 

 

 

 

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