Справочник MOSFET. KI8205T

 

KI8205T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI8205T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT163
 

 Аналог (замена) для KI8205T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI8205T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  kexin
 ki8205t.pdf pdf_icon

KI8205T

SMD Type MOSFETSMD TypeDual N-Channel High Density Trench MOSFETKI8205T( )SOT-23-6 Unit: mm+0.10.4 -0.1FeaturesSuper high dense cell trench design for low RDS(on).Rugged and reliable.Surface Mount package.1+0.020.15 -0.02+0.01-0.012+0.2-0.1D1 D2S1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G2S2 3 4 G2S1 S2Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating

 8.1. Size:672K  kexin
 ki8205a.pdf pdf_icon

KI8205T

SMD Type MOSFETSMDTypeDual N-Channel Enhancement MOSFETKI8205ATSSOP-8Unit: mmFeatures6.45+0.1-0.16.5 A, 20 V. rDS(on) = 0.025 @ VGS = 4.5 V 4.45+0.1-0.1rDS(on) = 0.029 @ VGS = 2.5 V.Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 20 VGate-Source Voltage VGS 10 VContinuous Drain Current ID 6.5 APulsed Drain Current IDM 20 A

Другие MOSFET... SI4953DY , AO4824L , AO4900 , AO4906 , AO4912 , AO4918 , AO6804 , KI8205A , TK10A60D , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , SI9926BDY , SI9926DY , 2SJ130S .

History: SFB205N200C3

 

 
Back to Top

 


 
.