SI9926BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI9926BDY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de SI9926BDY MOSFET
SI9926BDY Datasheet (PDF)
si9926bdy.pdf

SMD Type MOSFETSMD TypeDual N-Channel MOSFETSI9926BDY (KI9926BDY) Features SOP-8 RDS(on) = 0.027 @ VGS = 4.5 V RDS(on) = 0.036 @ VGS = 2.5 V.1.50 0.15D D1 2S D1 1 8 1G D1 2 7 1S D G G2 3 6 2 1 2G D2 4 5 2S S1 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 20 VGate-Source Volta
Otros transistores... AO6804 , KI8205A , KI8205T , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , IRLZ44N , SI9926DY , 2SJ130S , 2SJ213 , 2SJ302-ZJ , 2SJ356 , 2SJ492-ZJ , 2SJ599-Z , 2SJ600-Z .
History: KTK5131V | AP2080K | ME4856 | NCE1805S | SSM6K504NU | IPI70N04S4-06 | HYG023N03LR1C2
History: KTK5131V | AP2080K | ME4856 | NCE1805S | SSM6K504NU | IPI70N04S4-06 | HYG023N03LR1C2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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