SI9926BDY Todos los transistores

 

SI9926BDY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI9926BDY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SI9926BDY datasheet

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SI9926BDY

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SI9926BDY

SMD Type MOSFET SMD Type Dual N-Channel MOSFET SI9926BDY (KI9926BDY) Features SOP-8 RDS(on) = 0.027 @ VGS = 4.5 V RDS(on) = 0.036 @ VGS = 2.5 V. 1.50 0.15 D D 1 2 S D 1 1 8 1 G D 1 2 7 1 S D G G 2 3 6 2 1 2 G D 2 4 5 2 S S 1 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Volta

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SI9926BDY

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SI9926BDY

Otros transistores... AO6804 , KI8205A , KI8205T , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , AON6380 , SI9926DY , 2SJ130S , 2SJ213 , 2SJ302-ZJ , 2SJ356 , 2SJ492-ZJ , 2SJ599-Z , 2SJ600-Z .

History: IRF840LPBF | SSS12N60

 

 

 

 

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