SI9926BDY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI9926BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SI9926BDY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI9926BDY даташит
si9926bdy.pdf
SMD Type MOSFET SMD Type Dual N-Channel MOSFET SI9926BDY (KI9926BDY) Features SOP-8 RDS(on) = 0.027 @ VGS = 4.5 V RDS(on) = 0.036 @ VGS = 2.5 V. 1.50 0.15 D D 1 2 S D 1 1 8 1 G D 1 2 7 1 S D G G 2 3 6 2 1 2 G D 2 4 5 2 S S 1 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Volta
Другие MOSFET... AO6804 , KI8205A , KI8205T , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , AON6380 , SI9926DY , 2SJ130S , 2SJ213 , 2SJ302-ZJ , 2SJ356 , 2SJ492-ZJ , 2SJ599-Z , 2SJ600-Z .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735









