BSL211DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSL211DV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 241 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT163
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSL211DV
BSL211DV Datasheet (PDF)
bsl211dv.pdf
SMD Type MOSFETTransistorsP-Channel Enhancement Mode MOSFETBSL211DV(KSL211DV) Features( )SOT-23-6 Unit: mm+0.1 Super Logic Level (2.5 V rated) 0.4-0.1 150C operating temperature6 5 4 Avalanche rated dv/dt rated 2 31+0.02DD 0.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1GGSS1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ,u
bsl211sp.pdf
Rev 2.0BSL211SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 67 m Enhancement modeID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated4352 Pb-free lead plating; RoHS compliant61QualifiedaccordingtoAECQ101
bsl215c.pdf
BSL215COptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 140 mW Super Logic level (2.5V rated)VGS=2.5 V 280 250 Avalanche ratedID -1.5 1.5 A Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliantPG-TSOP6 Halogen free a
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
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