BSL211DV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSL211DV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 241 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm

Тип корпуса: SOT163

Аналог (замена) для BSL211DV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL211DV даташит

 ..1. Size:141K  kexin
 bsl211dv.pdf pdf_icon

BSL211DV

SMD Type MOSFET Transistors P-Channel Enhancement Mode MOSFET BSL211DV(KSL211DV) Features ( ) SOT-23-6 Unit mm +0.1 Super Logic Level (2.5 V rated) 0.4-0.1 150 C operating temperature 6 5 4 Avalanche rated dv/dt rated 2 3 1 +0.02 D D 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 +0.2 -0.1 G G S S 1 Drain 4 Source 2 Drain 5 Drain 3 Gate 6 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ,u

 8.1. Size:348K  infineon
 bsl211sp.pdf pdf_icon

BSL211DV

Rev 2.0 BSL211SP OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V P-Channel RDS(on) 67 m Enhancement mode ID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated) P-TSOP6-6 150 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 4 3 5 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 1 Qualified according to AEC Q101

 9.1. Size:413K  infineon
 bsl214n.pdf pdf_icon

BSL211DV

BSL214N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS T H5@ ) 7

 9.2. Size:419K  infineon
 bsl215p.pdf pdf_icon

BSL211DV

BSL215P #

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SJ607-ZJ, A9451, AO3401A, AO3415AS, AO3415W, AO4335, AO4705, AOD413, IRF2807, DMP1260, FQD12P10, FR9024N, KI001P, KI001PW, KI005P, KI005PDFN, KI007P