AMS6006 Todos los transistores

 

AMS6006 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMS6006
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AMS6006 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1818K  kexin
 ams6006.pdf pdf_icon

AMS6006

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAMS6006 (KMS6006)SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 6.3 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 18m (VGS = 10V) RDS(ON) 20m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain Super Low Gate Charge6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AP0403GH | BSS138E | R6524KNX | IRC330 | AM3415 | SI4416DY | SI2301ADS-T1

 

 
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