AMS6006 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AMS6006
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AMS6006 Datasheet (PDF)
ams6006.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAMS6006 (KMS6006)SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 6.3 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 18m (VGS = 10V) RDS(ON) 20m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain Super Low Gate Charge6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: WMN18N65EM | MTB3D0N03BH8 | FMV60N190S2HF | WMP07N60C4 | IXFK52N60Q2 | CEM8968 | KI5904DC
History: WMN18N65EM | MTB3D0N03BH8 | FMV60N190S2HF | WMP07N60C4 | IXFK52N60Q2 | CEM8968 | KI5904DC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent