AMS6006 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AMS6006
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для AMS6006
AMS6006 Datasheet (PDF)
ams6006.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAMS6006 (KMS6006)SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 6.3 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 18m (VGS = 10V) RDS(ON) 20m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain Super Low Gate Charge6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol
Другие MOSFET... 2SK3225 , 2SK3269-ZJ , 2SK3305-ZJ , 2SK3402-Z , 2SK3424-ZJ , 2SK3430-ZJ , 2SK3434-ZJ , A9452 , IRF530 , AO4306 , AO4404 , AO4406 , AO4408 , AO4418 , AO4444 , AO4476 , AO4492 .
History: WVM7N12 | MME65R280QRH | BRF12N60 | MME60R290QRH | PDC906Z
History: WVM7N12 | MME65R280QRH | BRF12N60 | MME60R290QRH | PDC906Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent