AMS6006. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AMS6006
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для AMS6006
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AMS6006 даташит
ams6006.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AMS6006 (KMS6006) SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 6.3 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 18m (VGS = 10V) RDS(ON) 20m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain Super Low Gate Charge 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol
Другие MOSFET... 2SK3225 , 2SK3269-ZJ , 2SK3305-ZJ , 2SK3402-Z , 2SK3424-ZJ , 2SK3430-ZJ , 2SK3434-ZJ , A9452 , IRF1010E , AO4306 , AO4404 , AO4406 , AO4408 , AO4418 , AO4444 , AO4476 , AO4492 .
History: WMK18N70EM | LNTA7002NT1G
History: WMK18N70EM | LNTA7002NT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent

