D1096 Todos los transistores

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D1096 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: D1096

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 100 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92

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D1096 Datasheet (PDF)

1.1. d1096.pdf Size:1068K _kexin

D1096
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DIP Type JFET Silicon N-Channel Junction FET D1096 Unit:mm TO-92 4.8 ± 0.3 3.8 ± 0.3 ■ Features ● VGDO = -30V ● ID = 20m A ● VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator 0.60 Max 0.45 ± 0.1 0.5 2 1 3 1.Gate 2.Source 1.27 2.54 3.Drain ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Gate-Drain Voltage VGDO -30 V Gate-Source Voltage VGSS -1 Co

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