Справочник MOSFET. D1096

 

D1096 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: D1096
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для D1096

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

D1096 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1068K  kexin
 d1096.pdf pdf_icon

D1096

DIP Type JFETSilicon N-Channel Junction FETD1096Unit:mmTO-924.8 0.3 3.8 0.3 Features VGDO = -30V ID = 20m A VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator0.60 Max0.45 0.1 0.521 31.Gate2.Source1.272.543.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Gate-Drain Voltage VGDO -30V Gate-Source Voltage VGSS -1 Co

Другие MOSFET... AO4444 , AO4476 , AO4492 , AO4702 , AO4704 , AP2322GN , AP9974 , BSS138E , P0903BDG , F501 , IRFP064PBF , KDT3055L , KI010NDS , KI138K , KI1N60 , KI1N60DS , KI2310 .

 

 
Back to Top

 


 
.