Справочник MOSFET. D1096

 

D1096 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: D1096
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

D1096 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1068K  kexin
 d1096.pdf pdf_icon

D1096

DIP Type JFETSilicon N-Channel Junction FETD1096Unit:mmTO-924.8 0.3 3.8 0.3 Features VGDO = -30V ID = 20m A VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator0.60 Max0.45 0.1 0.521 31.Gate2.Source1.272.543.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Gate-Drain Voltage VGDO -30V Gate-Source Voltage VGSS -1 Co

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI4848DY | SI4448DY | SI4804CDY | SI4214DDY | SI4838BDY | SI4634DY | SI4800BDY

 

 
Back to Top

 


 
.