D1096. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: D1096
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: TO92
Аналог (замена) для D1096
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
D1096 даташит
d1096.pdf
DIP Type JFET Silicon N-Channel Junction FET D1096 Unit mm TO-92 4.8 0.3 3.8 0.3 Features VGDO = -30V ID = 20m A VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator 0.60 Max 0.45 0.1 0.5 2 1 3 1.Gate 2.Source 1.27 2.54 3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Gate-Drain Voltage VGDO -30 V Gate-Source Voltage VGSS -1 Co
Другие MOSFET... AO4444 , AO4476 , AO4492 , AO4702 , AO4704 , AP2322GN , AP9974 , BSS138E , IRF1407 , F501 , IRFP064PBF , KDT3055L , KI010NDS , KI138K , KI1N60 , KI1N60DS , KI2310 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent

