Справочник MOSFET. D1096

 

D1096 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: D1096
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO92

 Аналог (замена) для D1096

 

 

D1096 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1068K  kexin
 d1096.pdf

D1096 D1096

DIP Type JFETSilicon N-Channel Junction FETD1096Unit:mmTO-924.8 0.3 3.8 0.3 Features VGDO = -30V ID = 20m A VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator0.60 Max0.45 0.1 0.521 31.Gate2.Source1.272.543.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Gate-Drain Voltage VGDO -30V Gate-Source Voltage VGSS -1 Co

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top