F501 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: F501
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 55.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 750 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET F501

F501 Datasheet (PDF)

..1. Size:5799K kexin
f501.pdf

SMD Type TransistorsSilicon N-Channel Power MOSFET (Depletion Mode)F501 SOT-23Unit: mm Features+0.12.9 -0.1 VDS (V) = 500V+0.10.4 -0.1 ID = 0.03 A (VGS = 10V)3 RDS(ON) 850 (VGS = 10V) RDS(ON) 750 (VGS = 0V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11. Gate1. Gate1. Gate2. Source2. Source2. Source3. Drain3.

0.1. Size:154K motorola
mrf5015rev6d.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF5015/DThe RF MOSFET LineRF Power Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode MRF5015Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen-cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this devicemakes it ideal for largesignal, common source amplifier applications in 12.5

0.2. Size:138K motorola
mrf5015.pdf

0.3. Size:138K motorola
mrf5015r.pdf

0.4. Size:670K fuji
f5018-s.pdf

0.5. Size:40K fuji
f5016 f5017 f5018 f5019 f5020 f5021 f5022 f5023 f5028 f5029 f5030 f5031 f5032 f5033 f5038 f5041 f5042 f5043 f5044 f9202 f9203 f9206 f9207 f9208 f9209.pdf

MOSFET / Pwer MOSFETs MOSFET Pwer MOSFET F TI F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net massVolts Amps. Amps. Ohms () Watts Volts Volts GramsF5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6F5020 40 3

0.6. Size:1434K pipsemi
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F501D 600V Depletion-Mode Power MOSFET General Features BVDSX RDS(ON),typ. IDSS Proprietary Advanced Planar Technology 600V 350 12mA Depletion Mode (Normally On) ESD improved Capability Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant Halogen-free available Applications Synchronous Rectification Normally-

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: