F501 - описание и поиск аналогов

 

F501. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F501

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 750 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для F501

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F501 даташит

 ..1. Size:5799K  kexin
f501.pdfpdf_icon

F501

SMD Type Transistors Silicon N-Channel Power MOSFET (Depletion Mode) F501 SOT-23 Unit mm Features +0.1 2.9 -0.1 VDS (V) = 500V +0.1 0.4 -0.1 ID = 0.03 A (VGS = 10V) 3 RDS(ON) 850 (VGS = 10V) RDS(ON) 750 (VGS = 0V) 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1. Gate 1. Gate 1. Gate 2. Source 2. Source 2. Source 3. Drain 3.

 0.1. Size:154K  motorola
mrf5015rev6d.pdfpdf_icon

F501

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5015/D The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode MRF5015 Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen- cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large signal, common source amplifier applications in 12.5

 0.2. Size:138K  motorola
mrf5015.pdfpdf_icon

F501

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5015/D The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode MRF5015 Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen- cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large signal, common source amplifier applications in 12.5

 0.3. Size:138K  motorola
mrf5015r.pdfpdf_icon

F501

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5015/D The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode MRF5015 Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen- cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large signal, common source amplifier applications in 12.5

Другие MOSFET... AO4476 , AO4492 , AO4702 , AO4704 , AP2322GN , AP9974 , BSS138E , D1096 , 2SK3568 , IRFP064PBF , KDT3055L , KI010NDS , KI138K , KI1N60 , KI1N60DS , KI2310 , KI2310DS .

History: KI1N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.