F501. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: F501
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 55.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.53 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 750 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для F501
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
F501 даташит
f501.pdf
SMD Type Transistors Silicon N-Channel Power MOSFET (Depletion Mode) F501 SOT-23 Unit mm Features +0.1 2.9 -0.1 VDS (V) = 500V +0.1 0.4 -0.1 ID = 0.03 A (VGS = 10V) 3 RDS(ON) 850 (VGS = 10V) RDS(ON) 750 (VGS = 0V) 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1. Gate 1. Gate 1. Gate 2. Source 2. Source 2. Source 3. Drain 3.
mrf5015rev6d.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5015/D The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode MRF5015 Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen- cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large signal, common source amplifier applications in 12.5
mrf5015.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5015/D The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode MRF5015 Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen- cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large signal, common source amplifier applications in 12.5
mrf5015r.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5015/D The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode MRF5015 Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen- cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large signal, common source amplifier applications in 12.5
Другие MOSFET... AO4476 , AO4492 , AO4702 , AO4704 , AP2322GN , AP9974 , BSS138E , D1096 , 2SK3568 , IRFP064PBF , KDT3055L , KI010NDS , KI138K , KI1N60 , KI1N60DS , KI2310 , KI2310DS .
History: KI1N60
History: KI1N60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370







