KDT3055L Todos los transistores

 

KDT3055L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDT3055L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT223

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KDT3055L datasheet

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KDT3055L

SMD Type TrMOSFETs ansistor Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 4 1 2 3 D 0.250 2.30 (typ) 0.84 (max) Gauge Plane 0.66 (min) 1.Gate G D S 2.Drain 3.Source 4.60 (typ) 4.Drain 10 7.0 0.3 3.50 0.2 0.75 (min) 1.80 (max) 0.02 0.1 1.6 0.1 Mnsi E ors SMD Type TraOSFstT Mark ing Marking 3055L MOSFET SMD Type Transistors KDT3055L Typlacl Characteris

Otros transistores... AO4702 , AO4704 , AP2322GN , AP9974 , BSS138E , D1096 , F501 , IRFP064PBF , 5N60 , KI010NDS , KI138K , KI1N60 , KI1N60DS , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY .

History: 4N60AF

 

 

 

 

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