Справочник MOSFET. KDT3055L

 

KDT3055L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KDT3055L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для KDT3055L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KDT3055L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:846K  kexin
 kdt3055l.pdf pdf_icon

KDT3055L

SMD Type TrMOSFETs ansistorUnit:mmSOT-2236.500.23.000.141 2 3D0.2502.30 (typ)0.84 (max)Gauge Plane0.66 (min)1.GateG D S 2.Drain3.Source4.60 (typ) 4.Drain10 7.00.33.500.20.75 (min)1.80 (max)0.02 ~ 0.11.6 0.1Mnsi E orsSMD Type TraOSFstT MarkingMarking3055LMOSFETSMD Type TransistorsKDT3055LTyplacl Characteris

Другие MOSFET... AO4702 , AO4704 , AP2322GN , AP9974 , BSS138E , D1096 , F501 , IRFP064PBF , 13N50 , KI010NDS , KI138K , KI1N60 , KI1N60DS , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY .

History: TSM9NB50CI | STN1810 | EMB12P03G | SIE864DF | HCS70R710ST | GSM3466 | RUM002N02

 

 
Back to Top

 


 
.