KI1N60DS Todos los transistores

 

KI1N60DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI1N60DS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm

Encapsulados: SOT23

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KI1N60DS datasheet

 ..1. Size:1067K  kexin
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KI1N60DS

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET KI1N60DS SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 30 (VGS = 10V) D 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 G 1. Gate 2. Source 3. Drain S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600

 8.1. Size:233K  kexin
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KI1N60DS

SMD Type MOSFET Transistors N-Channel Power MOSFET KI1N60 Features 1.70 0.1 VDS (V) = 600V ID = 1 A RDS(ON) 10.5 (VGS = 10V) 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Gate 2.Drain 3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 TC=25 1 Continuous Drain Current ID A TC=100 0.7 Pulsed Drain Current

Otros transistores... BSS138E , D1096 , F501 , IRFP064PBF , KDT3055L , KI010NDS , KI138K , KI1N60 , 18N50 , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS .

 

 

 

 

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