KI1N60DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI1N60DS
   Código: 01N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI1N60DS

KI1N60DS Datasheet (PDF)

..1. Size:1067K kexin
ki1n60ds.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI1N60DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 30 (VGS = 10V)D 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2G 1. Gate2. Source3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600

8.1. Size:233K kexin
ki1n60.pdf

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Power MOSFETKI1N60 Features1.70 0.1 VDS (V) = 600V ID = 1 A RDS(ON) 10.5 (VGS = 10V)0.42 0.10.46 0.11.Gate2.Drain3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600V Gate-Source Voltage VGS 30 TC=25 1 Continuous Drain Current IDA TC=100 0.7 Pulsed Drain Current

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Liste

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