KI1N60DS Todos los transistores

 

KI1N60DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI1N60DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KI1N60DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1067K  kexin
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KI1N60DS

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI1N60DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 30 (VGS = 10V)D 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2G 1. Gate2. Source3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600

 8.1. Size:233K  kexin
 ki1n60.pdf pdf_icon

KI1N60DS

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Power MOSFETKI1N60 Features1.70 0.1 VDS (V) = 600V ID = 1 A RDS(ON) 10.5 (VGS = 10V)0.42 0.10.46 0.11.Gate2.Drain3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600V Gate-Source Voltage VGS 30 TC=25 1 Continuous Drain Current IDA TC=100 0.7 Pulsed Drain Current

Otros transistores... BSS138E , D1096 , F501 , IRFP064PBF , KDT3055L , KI010NDS , KI138K , KI1N60 , 75N75 , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS .

History: SQM120N03-1M5L | FCD1300N80Z

 

 
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