KI1N60DS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI1N60DS
Маркировка: 01N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 25 Ohm
Тип корпуса: SOT23
KI1N60DS Datasheet (PDF)
ki1n60ds.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI1N60DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 30 (VGS = 10V)D 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2G 1. Gate2. Source3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600
ki1n60.pdf
SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Power MOSFETKI1N60 Features1.70 0.1 VDS (V) = 600V ID = 1 A RDS(ON) 10.5 (VGS = 10V)0.42 0.10.46 0.11.Gate2.Drain3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600V Gate-Source Voltage VGS 30 TC=25 1 Continuous Drain Current IDA TC=100 0.7 Pulsed Drain Current
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F