Справочник MOSFET. KI1N60DS

 

KI1N60DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI1N60DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KI1N60DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1067K  kexin
 ki1n60ds.pdf pdf_icon

KI1N60DS

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI1N60DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 30 (VGS = 10V)D 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2G 1. Gate2. Source3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600

 8.1. Size:233K  kexin
 ki1n60.pdf pdf_icon

KI1N60DS

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Power MOSFETKI1N60 Features1.70 0.1 VDS (V) = 600V ID = 1 A RDS(ON) 10.5 (VGS = 10V)0.42 0.10.46 0.11.Gate2.Drain3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600V Gate-Source Voltage VGS 30 TC=25 1 Continuous Drain Current IDA TC=100 0.7 Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... BSS138E , D1096 , F501 , IRFP064PBF , KDT3055L , KI010NDS , KI138K , KI1N60 , AON6380 , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.