KI1N60DS - описание и поиск аналогов

 

KI1N60DS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KI1N60DS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 25 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для KI1N60DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI1N60DS даташит

 ..1. Size:1067K  kexin
 ki1n60ds.pdf pdf_icon

KI1N60DS

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET KI1N60DS SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) = 600V ID = 0.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 30 (VGS = 10V) D 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 G 1. Gate 2. Source 3. Drain S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600

 8.1. Size:233K  kexin
 ki1n60.pdf pdf_icon

KI1N60DS

SMD Type MOSFET Transistors N-Channel Power MOSFET KI1N60 Features 1.70 0.1 VDS (V) = 600V ID = 1 A RDS(ON) 10.5 (VGS = 10V) 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Gate 2.Drain 3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 TC=25 1 Continuous Drain Current ID A TC=100 0.7 Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... BSS138E , D1096 , F501 , IRFP064PBF , KDT3055L , KI010NDS , KI138K , KI1N60 , 18N50 , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.